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用有机溶剂热生长技术（Ｓｏｌｖｏｔｈｅｒｍａｌ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）制备碱金属硒化物ＭＨｇＳｂＳｅ３（Ｍ＝Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ），用单晶Ｘ射线衍射技术对其进行晶体结构分析。热分析结果表明，在常温（〈２００℃）下均为稳定的化合物。光学性质测试表明它们是半导体材料，ＫＨｇＳｂＳｅ３，ＲｂＨｇＳｂＳｅ３，ＣｓＨｇＳｂＳｅ３的禁带宽度依次为１．８５ｅＶ，１．７５ｅＶ，１．６５ｅＶ。