【摘 要】
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本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法,在硅片直接键合后背面抛光减薄的SOI材料上,通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法,成功地研制出SOI定向耦合器,在波长为1.3μm时,其平均插入损耗为
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本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法,在硅片直接键合后背面抛光减薄的SOI材料上,通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法,成功地研制出SOI定向耦合器,在波长为1.3μm时,其平均插入损耗为4.8dB,平均串音小于-18.6dD.
In this paper, according to the condition of single-mode ridge waveguide with large cross-section and the effective refractive index method, the SOI material is directly polished by backside polishing and then anisotropically etched by potassium hydroxide. The average insertion loss is 4.8 dB at a wavelength of 1.3 μm and the average crosstalk is less than -18.6 dD.
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