【摘 要】
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为了提升垂直排列硅上液晶(VA-LCoS)器件的反射率,本文通过建立常黑型VA-LCoS的三维光学模型,分别用圆偏振光和线偏振光入射,研究了预倾角、液晶盒厚和入射光波长对VA-LCoS器件的反射率的影响。结果表明使用圆偏振光入射能彻底消除亮态像素内黑色区域。本文条件下,1.6μm盒厚的VA-LCoS在圆偏振光入射时有最大的反射率。本研究的结论对VA-LCoS的设计和制备具有一定的指导意义。
【机 构】
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河北工业大学电子材料与器件天津重点实验室,北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,河北工业大学应用物理系
【基金项目】
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国家重点研发计划(No.2018YFB0703701),国家自然科学基金(No.61475042)。
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为了提升垂直排列硅上液晶(VA-LCoS)器件的反射率,本文通过建立常黑型VA-LCoS的三维光学模型,分别用圆偏振光和线偏振光入射,研究了预倾角、液晶盒厚和入射光波长对VA-LCoS器件的反射率的影响。结果表明使用圆偏振光入射能彻底消除亮态像素内黑色区域。本文条件下,1.6μm盒厚的VA-LCoS在圆偏振光入射时有最大的反射率。本研究的结论对VA-LCoS的设计和制备具有一定的指导意义。
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