【摘 要】
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我们首次用在中国返地卫星上生长的Si-GaAs单晶做衬底,成功地研制出室温CW工作的GaAs/AlGaAs质子轰击条形DH激光器,DH外延片是用LPE法生长的。激光器的最低阈电流20mA,激射波
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京,北京,北京
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我们首次用在中国返地卫星上生长的Si-GaAs单晶做衬底,成功地研制出室温CW工作的GaAs/AlGaAs质子轰击条形DH激光器,DH外延片是用LPE法生长的。激光器的最低阈电流20mA,激射波长857nm,输出功率可达30mW。
For the first time, we have successfully fabricated GaAs / AlGaAs proton bombardment DH lasers operating at room temperature CW using a Si-GaAs single crystal grown on a Chinese retrospective satellite. DH epitaxial wafers were grown by the LPE method. The laser threshold current minimum 20mA, lasing wavelength 857nm, the output power of up to 30mW.
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