【摘 要】
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对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS2、WSe2等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述.总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029;中国科学院大学,北京 100049;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029
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对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS2、WSe2等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述.总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶体管器件的研究进展.对基于TMD的集成电路技术研究进行了介绍与分析.分别在结构设计、集成工艺、性能优化及电路集成等方面对基于TMD材料的CMOS反相器电路进行了总结与分析.介绍了两种集成结构及对应的工艺流程,详细分析了CMOS反相器电路性能优化的方法.最后指出了目前的关键挑战及未来的发展趋势.
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