反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究

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本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。 In this paper, the edge parasitics of SOI devices are analyzed in detail, and on this basis, the reactive ion etching process that can well suppress this effect is studied. With this new process, an NMOS transistor with a leakage current of only 3 pA has been successfully developed.
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