二硅化钛／硅的肖特基势垒研究

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tsy99

【摘要】

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采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特

【作者】

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【机构】

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西安空军电讯工程学院,西安电子科技大学,西安电子科技大学

【出处】

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微电子学与计算机

【发表日期】

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1990年8期

【关键词】

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采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特性曲线.

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