【摘 要】
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研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片键合.相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度的280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案.使用
【机 构】
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清华大学微电子所,北京三星先进技术研究院,水原市,韩国;
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研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片键合.相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度的280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案.使用直径为100mm硅片,盖析硅片上测射多层金属Ti/Ni/Sn/Au,利用Lift-off工艺来形成图形.基板硅片上测射Ti/Ni/Au/Ag.硅片制备好后,将盖析和基板叠放在一起送入键合机进行键合.键合过程在N2气氛中进行,键合过程中不需要使用助焊剂.研究了不同键合参数,如键合压力、温度等对键合结果的影响.剪切强度测试表明样品的剪切强度平均在55.17MPa.TMA测试表明键合后分离温度可以控制在500℃左右.He泄漏测试证明封接的气密性极好.
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