【摘 要】
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在MOS由深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷保持恒定,则用半导体表面势(ψ_s)与MOS的瞬态微分电压(dv/dt)之间的渐近线性关系,可以同时确定少子的体产生
【机 构】
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北京大学计算机科学技术系,北京大学计算机科学技术系
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在MOS由深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷保持恒定,则用半导体表面势(ψ_s)与MOS的瞬态微分电压(dv/dt)之间的渐近线性关系,可以同时确定少子的体产生寿命及表面产生速度.实验装置可以直接显示ψ_s-dv/dt曲线,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序.
When the total charge of the MOS system remains constant during the recovery of MOS from deep depletion to equilibrium inversion, the transition between the semiconductor surface potential (ψ_s) and the transient differential voltage (dv / dt) of the MOS Near linear relationship, the life span and surface speed of birth body can be determined at the same time.The experiment device can directly display the curves of ψ_s-dv / dt, omitting the cumbersome mapping program of Zerbst method.
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