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对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析。比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响。并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺。
Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析
【摘 要】
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对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析。比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2008年12期
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