电容-电压测试在TiO2压敏材料晶界势垒研究中的应用

来源 :枣庄学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：daolong163

【摘要】

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通过电容-电压（C-V）测试，测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数，测试结果显示99．75mol％TiO2＋0．25mol％WO3的样品势垒高度咖为0．51eV，施主浓度Nd为1．62×10^25／m^

【作者】

：

张永强苏文斌程杰

【机构】

：

济宁学院物理系,山东大学物理与微电子学院

【出处】

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枣庄学院学报

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

C-V测试压敏晶界势垒 C - V measurement varistors grain boundary barrier

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通过电容-电压（C-V）测试，测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数，测试结果显示99．75mol％TiO2＋0．25mol％WO3的样品势垒高度咖为0．51eV，施主浓度Nd为1．62×10^25／m^3．类比ZnO压敏材料，本文认为晶界处吸附的O^-、O^2-是形成晶界势垒的主要原因．

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