【摘 要】
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本文报导在5厘米波段GaAsFET的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式曝光——金属剥离技术制作1微米栅条,采用挖槽法等,可以使GaAsFET性能进入3厘米波
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本文报导在5厘米波段GaAsFET的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式曝光——金属剥离技术制作1微米栅条,采用挖槽法等,可以使GaAsFET性能进入3厘米波段,用ST31生陶瓷管壳封装的器件,在10千兆赫下噪声系数N_F=4.7分贝,同时增益G_(NF)=4.7分贝;或者N_F=5.8分贝,G_(NF)=7.0分贝。文章最后对如何进一步提高器件性能作了讨论。
Based on the 5-cm GaAsFET, oxygen ion implantation is used instead of chemical etching to separate the surface of the GaAsFET. The common contact exposure-metal lift-off technique is used to fabricate a 1 μm grating. Cm, the ST31 ceramic tube package has a noise figure N_F of 4.7 dB at 10 GHz and a gain of G NF = 4.7 dB or N_F of 5.8 dB and G NF of 7.0 dB. Finally, the article discusses how to further improve the performance of the device.
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