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建立一套激光等离子体光谱测量实验装置,以Nd：YAG调Q倍频固体激光器为激发光源,硅作为样品。通过改变激光输出能量,获得Si样品的等离子体谱图,对Si的等离子体谱图进行分析,根据玻尔兹曼分布,计算出Si的等离子体电子温度,并分析Si的等离子体电子温度随激光能量改变的变化趋势。
激光能量对Si等离子体电子温度的影响
【摘 要】
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建立一套激光等离子体光谱测量实验装置,以Nd：YAG调Q倍频固体激光器为激发光源,硅作为样品。通过改变激光输出能量,获得Si样品的等离子体谱图,对Si的等离子体谱图进行分析,根
【机 构】
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长春理工大学理学院
【出 处】
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长春理工大学学报
【发表日期】
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2008年4期
【基金项目】
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国防科工委资助项目
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