【摘 要】
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一、引言自从六十年代初期半导体激光二极管(LD)问世以后,它就一直受到人们的重视,并且早已成为很活跃的研究领域.随着以0.85微米波长为中心的GaAlAs/GaAs LD的日趋成熟和长
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一、引言自从六十年代初期半导体激光二极管(LD)问世以后,它就一直受到人们的重视,并且早已成为很活跃的研究领域.随着以0.85微米波长为中心的GaAlAs/GaAs LD的日趋成熟和长波长低损耗、小色散光纤的出现,近年来半导体激光器的研究正朝着波长的两端发展.即一方面在积极研究短波长可见光激光器.另
I. Introduction Since the advent of the semiconductor laser diode (LD) in the early 1960s, it has been valued by many people and has become an active research field.With the maturing of GaAsAs / GaAs LDs centered on 0.85 micron wavelength And long-wavelength low-loss, small dispersion fiber, the research of semiconductor lasers in recent years is developing toward both ends of the wavelength, that is, on the one hand actively studying the short wavelength visible laser.
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