【摘 要】
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基于MCM-C(陶瓷厚膜型)工艺,实现了三维多芯片组件(3D-MCM)封装。解决了多层基板制作、叠层间隔离及垂直定位互连等关键工艺问题。制作出层间为金属引线互连结构的3DMCM样品
【机 构】
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重庆理工大学电子信息与自动化学院,
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基于MCM-C(陶瓷厚膜型)工艺,实现了三维多芯片组件(3D-MCM)封装。解决了多层基板制作、叠层间隔离及垂直定位互连等关键工艺问题。制作出层间为金属引线互连结构的3DMCM样品。该样品具有体积小、重量轻、可靠性高等优点。经使用测试,样品的技术指标完全合格,使用情况良好。
Based on the MCM-C (ceramic thick film type) process, a 3D multi-chip package (3D-MCM) package is realized. Solve the multi-layer substrate production, the isolation between the stack and vertical positioning interconnection and other key process issues. A 3DMCM sample with inter-layer metal lead interconnect structure was fabricated. The sample has the advantages of small size, light weight and high reliability. The use of the test, the sample of the technical indicators fully qualified, the use of good.
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