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绝缘栅双极型晶体管IGBT

来源 :电世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户：longxue1211

【摘 要】

：

<正> 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是双极性器件和MOS器件结合的功率器件。美、日等国从1982年开始研制到1986年投产,目前最大容量1000A

【作 者】

：

程匡玉 于文彬 

【机 构】

：

中国神马帘子布集团公司四厂

【出 处】

：

电世界

【发表日期】

：

1997年2期

【关键词】

：

IGBT 晶体管 双极性晶体管 

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<正> 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是双极性器件和MOS器件结合的功率器件。美、日等国从1982年开始研制到1986年投产,目前最大容量1000A,最高电压1400V,工作频率在声频(20kHz)以上。 IGBT具有GTR一样的功率处理能力和功率MOSFET相类似的开关特性,并具备GTR和MOSFET的优点,是目前电力电子器件

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