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介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。
稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
【摘 要】
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介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相
【机 构】
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深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2007年A01期
【基金项目】
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基金项目：留学回国人员科研启动基金资助项目（教外司留2001-498）
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技