【摘 要】
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本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度
【机 构】
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东南大学微电子中心低温器件实验室,东南大学微电子中心低温器件实验室,东南大学微电子中心低温器件实验室 南京 210018,南京 210018,南京 210018
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本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。
In this paper, we consider the carrier cryogenic effect in semiconductors at low temperature and the trapping effects of shallow level impurities and other factors, and analyze the low temperature frequency characteristics of polysilicon emitter transistors. The results show that the resistance of the base region decreases with the temperature drop approaching the exponential rise at low temperature due to the effect of carrier cryogenic analysis, which changes the frequency performance of the transistor. Due to the trapping effect of shallow level impurities, the base region and Launch time longer transit time, cut-off frequency decreased. These factors should be emphasized in the design of cryogenic devices.
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