【摘 要】
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在超高真空化学气相沉积设备上,利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层,在SOI衬底上成功外延出高质量的锗薄膜.基于谐振腔增强型探测器（RCE）理论,模拟优化了有源层和上下反射层的厚
【机 构】
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厦门华厦学院信息与机电工程系,集美大学诚毅学院,厦门大学物理系光子学研究中心
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在超高真空化学气相沉积设备上,利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层,在SOI衬底上成功外延出高质量的锗薄膜.基于谐振腔增强型探测器（RCE）理论,模拟优化了有源层和上下反射层的厚度尺寸.传输矩阵方法计算结果显示：将SOI衬底自有二氧化硅、硅层作为一对下反射层的情况下,取2对SiO_2/Ta_2O_5作为上反射层时,量子效率可以达到接近56%.制作的SOI基锗光电探测器,暗电流密度为0.65 m A·cm-2.在8 V的偏压下,探测器在1 550 nm处响应度1.45 m A·W-1,可以观
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