量子阱结构对GaInP/Ga(In)As/Ge电池的光谱响应改善

来源 :电源技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangfei0960

【摘要】

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采用MOCVD工艺制备具有应变平衡量子阱结构GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的方法,及量子阱结构对中间电池的光谱响应的改善,从而使GainP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池各子电池电

【作者】

：

许军刘海港王帅孙强孙彦铮王保民

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300381

【出处】

：

电源技术

【发表日期】

：

2008年2期

【关键词】

：

周期应变平衡量子阱结构三结级联太阳电池电流匹配光谱响应量子效率

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采用MOCVD工艺制备具有应变平衡量子阱结构GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的方法,及量子阱结构对中间电池的光谱响应的改善,从而使GainP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池各子电池电流匹配设计更为合理,揭示了量子阱结构提高GaInP/Ga(In)As/Ge三结级联太阳电池光电转换效率的可能性.

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