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采用高温固相反应法,以Al粉和SiC粉为原料合成Al掺杂SiC粉体。通过X射线衍射分析和拉曼光谱对合成粉体进行了表征。结果表明,当反应温度高于1900℃时,合成产物中未出现Al的杂质相。在2000℃时,相对较多的Al原子进入到SiC晶格形成Al-SiC固溶体。在8.2～12.4GHz频率范围,采用波导法对未掺杂和掺杂SiC粉体的介电常数进行了测试。结果表明,Al原子掺杂形成Al-SiC固溶体,可以有效地提高SiC粉体的微波介电性能。