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介绍了一种采用缓冲基区结构的快速软恢复二极管.二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N-与扩散形成的较重掺杂的N区(缓冲基区)两部分组成.实验结果表明,该二极管不仅具有传统PIN二极管的高电压、低压降特性,而且反向恢复软度因子提高到了1.0左右,大约是传统的电子辐照PIN二极管的3倍.
采用缓冲层结构的软恢复二极管研究
【摘 要】
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介绍了一种采用缓冲基区结构的快速软恢复二极管.二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N-与扩散形成的较重掺杂的N区(缓冲基区)两部分组成.实验结果表明,该二极管不仅具有传统PI
【机 构】
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清华大学核能技术研究院
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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2003年2期
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