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MEMS器件微流量流速检测中会受到寄生电容的严重干扰,针对两腔键合的压电驱动硅基微流量传感结构,通过对该结构中Si-Pt平行板电容分析及其对交变方波驱动的输出响应分析,确定了寄生电容产生于两腔键合处的上腔基质硅与检测热敏铂丝之间,提出了通过压电驱动电极的适当连接抑制寄生电容干扰的有效方法。
MEMS微流量检测中寄生电容干扰的抑制方法
【摘 要】
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MEMS器件微流量流速检测中会受到寄生电容的严重干扰,针对两腔键合的压电驱动硅基微流量传感结构,通过对该结构中Si-Pt平行板电容分析及其对交变方波驱动的输出响应分析,确定
【机 构】
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上海电力学院,清华大学
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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2008年12期
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