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为避免集成电路正面金属层对激光的阻挡,采用背面照射的方法对非加固SRAM IL-2和加固SRAM 1020-2进行了单粒子效应实验。对脉冲激光背面照射实验的相关问题进行了探讨。比较了两种器件产生单个位翻转的有效激光阈值能量,验证了器件加固措施的有效性。
脉冲激光背照射单粒子效应实验研究
【摘 要】
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为避免集成电路正面金属层对激光的阻挡,采用背面照射的方法对非加固SRAM IL-2和加固SRAM 1020-2进行了单粒子效应实验。对脉冲激光背面照射实验的相关问题进行了探讨。比较
【机 构】
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兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室,中国科学院微电子研究所
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2011年7期
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