【摘 要】
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采用Si、C及Al2O3粉末为原料,利用包埋法结合真空热处理在C/C复合材料表面制备SiC涂层。并利用XRD、SEM等测试手段分析真空热处理对涂层C/C复合材料的组织结构和力学性能的影
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采用Si、C及Al2O3粉末为原料,利用包埋法结合真空热处理在C/C复合材料表面制备SiC涂层。并利用XRD、SEM等测试手段分析真空热处理对涂层C/C复合材料的组织结构和力学性能的影响。研究结果表明：包埋粉料中Si含量为84.5%和87.0%（质量分数）时,所制备的SiC过渡层由β-SiC、α-SiC和Si三相组成。真空热处理可以降低SiC涂层中游离Si的含量,使SiC过渡层形成多孔结构,进而改善SiC涂层C/C复合材料的韧性,获得的涂层最大载荷处挠度可提高6.93%。真空热处理后,C/C复合材料SiC
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