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用半导体桥（Semiconductor Bridge,SCB）研究了点燃两种不同粒度（细化5～15μm和结晶300μm）的叠氮化铅（LeadAzide,LA）所需的电压、电流和光信号。结果表明：细化LA被SCB点燃时,其出光时间早于SCB二次峰结束时间,而结晶LA出光时间要晚于SCB二次峰结束时间。随SCB点火电压增加,SCB二次峰的持续时间以及出光时间均缩短。由D-最优化法所得两种LA点火数据显示：细化LA的最小发火电压是结晶LA的50%。