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松下电器公司半导体研究中心研究出用液相外延法(LPE)在InP衬底上沉积5~6层厚100埃InGaAs薄膜的超薄膜形成技术，并利用这种技术制成1.3 μm波段MQW(多层量子阱)型半导体激光器,首次实现低阈值室温连续振荡。
试制成1.3 μm波段的多层量子阱型半导体激光器
【摘 要】
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松下电器公司半导体研究中心研究出用液相外延法(LPE)在InP衬底上沉积5~6层厚100埃InGaAs薄膜的超薄膜形成技术，并利用这种技术制成1.3 μm波段MQW(多层量子阱)型半导体激光器,首次实现低阈值室温连续振荡。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1986年23期
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