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基于一种改进的实数遗传算法，以降低平面稀布阵旁瓣电平为优化目标，提出了一种综合有阵元数约束、孔径约束和最小阵元间距约束的稀布面阵的新方法。与稀疏布阵相比，该方法利用了阵元在布阵时更大的自由度，因而在阵元数、孔径和最小阵元间距相同的条件下可以获得更优的峰值旁瓣性能，仿真试验显示了改进的实数遗传算法应用到该多约束稀布平面阵优化问题中是稳健和高效的。