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利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-Si结构，用磁控溅射制备纳米SiO2∶Al时所用的SiO2/Al复合靶中的Al的面积百分比为1%．上述两种结构中Si层厚度均为1—3nm，间隔为0.2nm．为了对比研究，还制备了Si层厚度为零的样品．这两种结构在900℃氮气下退火30min，正面蒸半透明Au膜，背面蒸Al作欧姆接触后，都在正向偏置下观察到电致发光（EL）．在一定的正向偏置下，EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡，位相相同．但掺Al结构的发光强度普遍比不掺Al结构强．另外，这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同．对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺Al的作用进行了分析和讨论．