【摘 要】
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硅上薄氧化物退火过程中缺陷的形成＝Ｄｅｆｅｃｔｆｏｒｍａｔｉｏｎｄｕｒｉｎｇａｎｎｅａｌｉｎｇｏｆｔｈｉｎｏｘｉｄｅｓｏｎｓｉｌｉｃｏｎ［刊，英］／Ａｇａｒｗａｌ，Ａ．Ｍ．…＂Ｊ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３．１４０（１），－２２２～...
Formation of Defects during Thin Oxide Annealing on Silicon = Defectformationduringannealingofthinoxidesonsilicon [En
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硅上薄氧化物退火过程中缺陷的形成＝Ｄｅｆｅｃｔｆｏｒｍａｔｉｏｎｄｕｒｉｎｇａｎｎｅａｌｉｎｇｏｆｔｈｉｎｏｘｉｄｅｓｏｎｓｉｌｉｃｏｎ［刊，英］／Ａｇａｒｗａｌ，Ａ．Ｍ．…＂Ｊ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３．１４０（１），－２２２～...
Formation of Defects during Thin Oxide Annealing on Silicon = Defectformationduringannealingofthinoxidesonsilicon [Eng., English] / Agarwal, A. M. ... "J. Elec-trochem. Soc.-1993. 140 (1), -222 ...
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