【摘 要】
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描述了共发射极电流增益接近25000的硅双极晶体管,这个值被认为是曾报导过的双极器件电流增益的最大值。以一个隧道贯穿金属二薄绝缘体一半导体(MIS)接触连同一个浅注入基区
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描述了共发射极电流增益接近25000的硅双极晶体管,这个值被认为是曾报导过的双极器件电流增益的最大值。以一个隧道贯穿金属二薄绝缘体一半导体(MIS)接触连同一个浅注入基区为基础的异质结发射极结构是获得这种改进性能的主要原因。该结果的意义在于:它证明了在发射极的注入效率和可以导致在应用范围内改进硅双极晶体管性能的基区特性控制这两方面的优点。
Describes a silicon bipolar transistor with a total emitter current gain close to 25,000, which is considered to be the maximum reported gain of a bipolar device. The main reason for this improved performance is the heterojunction emitter structure based on a tunneling through two metal-thin-insulator-semiconductor (MIS) contacts along with a shallow implant base. The significance of this result lies in the fact that it proves the advantages of both injection efficiency at the emitter and control of base characteristics that can result in improved performance of the silicon bipolar transistor in the application range.
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