第四届全国砷化镓及有关化合物学术交流会简讯

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aman25826882
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第四届全国砷化镓及有关化合物学术交流会于1981年11月25至28日在上海召开,参加会议的特邀代表及正式代表共90名,列席代表49名.他们来自全国科研、生产、高校、情报、领导机关等单位,共有论文111篇,最新消息六篇.大会报告,由谢希德、邹元曦、王渭源、林跃望,潘慧珍等汇报参加1981年度国际学术会议情况.其内容包括国际上科技新动向、学术报告及个人的见解等.此后分三个小组进行学术交流,内容有基础研究、晶体生长、汽液相外延、材料特性及测试、器件工艺等.这确实是 The 4th National Gallium Arsenide and Related Compounds Conference was held in Shanghai from November 25 to November 28, 1981 with a total of 90 invited and formal representatives participating in the conference and 49 delegates representing them. They came from the national scientific research and production , Universities, intelligence agencies, leading organs and other units, a total of 111 papers, the latest news of 6. Assembly report by the Shexide, Zou Yuanxi, Wang Weiyuan, Lin Yue Wang, Pan Huizhen report to participate in the 1981 International Conference on the status of its international science and technology Academic reports and personal opinions, etc. Thereafter, there are three groups for academic exchanges, including basic research, crystal growth, vapor-liquid phase epitaxy, material properties and testing, device technology, etc. This is indeed
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