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基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势法,研究了Si掺杂纤锌矿AlN的电子结构和光吸收性质。结果表明：杂质能级位于导带底附近,与Al3p能级复合形成导带底,使系统发生Mott相变;Si掺杂后在2.02eV附近出现新的吸收峰,从而改善系统在可见光区的吸收特性。
Si掺杂AlN的电子结构和光吸收
【摘 要】
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基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势法,研究了Si掺杂纤锌矿AlN的电子结构和光吸收性质。结果表明：杂质能级位于导带底附近,与Al3p能级复合形成导带底,使系统发生Mott
【机 构】
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曲阜师范大学物理工程学院
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2009年6期
【基金项目】
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基金项目：国家自然科学基金（10775088）,山东省理论物理重点学科资助项目
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