IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列产品

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2014年8月国际整流器公司(IR)推出高性能600 V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT)IR66xx系列产品。坚固可靠的新系列器件可提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在优化焊接应用产品。器件采用新技术将导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。600 V August 2014 International Rectifier (IR) introduces the IR66xx family of high-performance 600 V super-fast trench field-stop insulated gate bipolar transistors (IGBTs). Robust and reliable new series of devices provide very low on-state losses and switching losses designed to optimize soldering applications. The device incorporates new technology to minimize conduction and switching losses and is packaged with a soft, low Qrr diode. 600 V
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