肖特基接触是AlGaN/GaN HEMT的关键因素之一,国内外对其还鲜有研究,本文对AlGaN/GaN异质结上的肖特基接触作了详细的研究。首先,在经典的肖特基电流输运理论基础上,对制作在AlGaN/GaN HEMT上的肖特基栅的变温I-V测试和C-V测试,采用函数优化的方法对I-V-T,C-V-T曲线进行了分析,并针对AlGaN/GaN异质结肖特基栅给出了一种更为实用的参数提取方法。同时在此基础上将串联电阻Rs作为电流的函数对肖特基接触I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线。试验表明,导带底下0.26eV的电子陷阱能级在高温下能够辅助电子进行隧穿。通过分析肖特基泄漏电流在300～550K之间的变化规律,得出450K附近是AlGaN/GaN肖特基泄漏电流由碰撞电离向隧穿电流机制变化的转换温度。接着,我们利用电镜扫描(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,肖特基接触得到明显改善,从而器件的特性也得到提高。