该文第一章综述了光电子技术的发展概况、同质结激光器的工作原理,半导体材料中的受激吸收、自发发射和受激发射在光电子器件中的应用及ZnO基蓝紫光LED与LD在全色显示、白光照明和超高密度、超大容量光存储等领域中潜在的应用价值;该章也介绍了磁控溅射镀膜技术和利用XRD,AFM,XPS和PL等图谱信息分析ZnO材料的结构、光学性质的基本原理.第二章综述了制备高质量的p型ZnO存在的困难,并根据本征施主缺陷间隙锌(Zn<,i>)、氧空位(V<,o>)和反位锌(Zn<,o>)及本征受主缺陷锌空位(V<,zn>)、间隙氧(O<,i>)和反位氧(O<,zn>)在形成焓上的差异,揭示了ZnO呈n型和p型导电性的物理机制;从实验和理论上介绍ZnO中掺入Ⅰ族元素(Li,Na和K)、ⅢA族金属元素(Al、Ga和In)、V族元素(N,P和As)和非特意掺杂的H元素等杂质的作用,尤其是对利用N元素掺杂及N和Ga共掺杂方法制备p型ZnO的机理和效果作了细致分析;最后说明了利用RF磁控溅射方法在富氧气氛中生长非掺杂p型ZnO薄膜的可行性.笫三章报道了富氧氛围中利用射频(RF)磁控反应溅射法生长非掺杂与掺杂As元素的p型ZnO薄膜和利用直流(DC)反应溅射结合掺杂Al元素方法制备n型ZnO薄膜的方法:并详细地讨论了三种ZnO薄膜的结构和光学性质,尤其是对非掺杂p型ZnO薄膜的本征缺陷(V<,o>和Zn<,i>)引起的PL谱线随反应气体中O<,2>含量变化的关系进行了细致分析;该章对结构为n-ZnO:Al/i-ZnO/p-ZnO和n-ZnO:Al/i-ZnO/p-ZnO:As的两利ZnO基同质pn结的整流效应以及制备ZnO基同质pn结激光器的基本原理和制约因素进行了分析.第四章根据XRD, SEM,XPS和PL等图谱所包含的信息,分析了水浴合成方法制备出的高度有序、单晶态ZnO微米棒阶列的结构和光学性质,并发现ZnO微米棒的(002)晶面退化导致其PL谱紫外发射峰峰位红移和强度衰减的现象.