【摘 要】
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该文通过X射线双晶衍射、化学腐蚀观察、高压透射分析电子显微镜等方法对掺锗者直拉硅中氧的沉淀行为进行了较为系统的研究,着重分析了锗的掺杂浓度、热处理温度、热处理时间
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该文通过X射线双晶衍射、化学腐蚀观察、高压透射分析电子显微镜等方法对掺锗者直拉硅中氧的沉淀行为进行了较为系统的研究,着重分析了锗的掺杂浓度、热处理温度、热处理时间对氧沉淀形态和沉淀密度的影响,并对其机理进行了探讨.通过对氧沉淀、氧施主、氧的扩散及清洁区的状况与CZSi中掺锗量的关系的研究,以实验结果和理论分析证实了锗与硅中的氧、碳杂质的相互作用与键合抑制了氧、碳杂质的一些有害的热行为,提高了硅材料的稳定性与质量,证实了①Ge不是作为氧沉淀的核心而影响氧的沉淀过程;②Ge的引入影响了氧沉淀的长大过程,通常无锗Si750℃退火时氧沉淀为棒状,而Ge的引入则抑制棒状沉淀的形成和长大;③Ge与C的键合形成的Si-Ge-C系统,降低了因Ge和C的引入而产生的晶格失配应力,抑制了C对新施主形成的"催化"作用,降低了新施主浓度,抑制了新施主的形成速率;④CZSi中掺入一定量锗杂质,有利于硅片IG处理时表面清洁区的形成.该项研究为提高集成电路用硅片的质量和稳定性提供有益的实验依据.
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