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CrO_2在费米面附近只有一种自旋取向的电子使其在自旋电子器件中有着广泛的应用前景。但CrO_2是热力学亚稳相,若想将其成功应用到器件中仍有很多难题需要攻克。本论文主要通过理论计算和实验相结合的方法来探究掺杂,空位和界面钉扎对CrO_2薄膜各项性能的影响,以便于其能够更好地应用到器件中。论文主要内容如下:1、经过多种不同N源的尝试,我们发现在氮气氛围下生长的薄膜其实是N掺杂的CrO_2薄膜。在氮气氛围下,薄膜的生长区间大幅度扩大(从20 K的制备区间扩大到了110 K)。N浓度可以通过调控制备温度或