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相比其他磁场传感器,以非晶薄膜为磁敏元件的巨磁阻抗(GMI)磁场传感器具有灵敏度高、响应迅速等优势。非晶薄膜是一种特殊的非晶态合金,已有的资料表明,不同的外加静态场条件下,非晶薄膜包括交流阻抗值、电导率、磁导率等在内的磁特性参数不同。非晶薄膜的磁特性参数与其微观磁矩结构紧密相关。因此,研究不同静态场条件下,非晶薄膜的磁化结构具有重要的意义。本课题选用GMI传感器中较为常用的钴基非晶薄膜为研究对象,模拟非晶薄膜在传感器中的磁场工作环境,仿真环向与纵向静态场条件下其内部磁化矢量分布。详细阐述磁学计算方法