基于自旋转移矩效应的新一代非易失性磁存储器融合了动态存储器的低成本、静态存储器的高速读写性能、闪存的非易失性三者的优势，并且可以弥补第一代磁电阻式存储技术的主要缺点，满足了人们对信息存储器件的高密度、大容量、高速度、低成本和微小型化等众多要求，因而成为未来固态多用途数据存储器件的强有力的候选者。随着磁性隧道结制作工艺的快速发展，研究磁隧道结自旋转移矩磁存储器在尺寸进一步减小、具有良好热稳定性等条件下如何改善磁矩的动态特性，如降低写入电流密度、提高翻转速度，是十分迫切的需要，而且具有重要意义。本文基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程的宏自旋模型的模拟，对磁隧道结结构的自旋转移矩磁存储器的动态特性进行了研究，具体工作如下：1.详细介绍了描述磁矩进动理论模型的发展，并给出各动态方程的推导。特别对宏自旋模型中包含的每一项给出物理解释。2.研究了在自由层厚度影响下的界面垂直各向异性和初始磁矩偏角，对水平CoFeB/MgO磁隧道结阈值翻转电流密度、翻转时间动态特性的影响。结果显示，由于界面垂直各向异性随着自由层厚度的减小而增大，阈值翻转电流密度和翻转时间会明显的降低，当磁矩的偏角随厚度的减小而增大时，翻转的动态特性会进一步优化，在阈值翻转电流密度和翻转时间上都有体现。3.研究了磁隧道结结构中类场自旋转移矩项对磁矩翻转动态特性的影响。结果显示，类场自旋转移矩项与Slonczewski项相同正负变化时，类场自旋转移矩项将促使磁矩翻转，而使翻转电流密度减小，翻转速度加快；反之，则对翻转起到阻碍作用。类场自旋转移矩项越大，起到的促进或阻碍作用越大。随后，考虑了室温下热扰动场的作用，结果表明，热扰动场的存在将有助于磁化翻转。