Sol-gel法掺杂ZnO薄膜的制备及光电性能研究

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【摘要】

：

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构,在光电、压电及磁电子等诸多领域都具有优异的性能。ZnO具有较高的激子束缚能(60meV),远高于其它的宽禁带半导体材料(如GaN为25meV),较低的电子诱生缺陷和阈值电压低等优点,使其在光电器件领域具有很大的研究价值。ZnO的激子在室温下也是稳定的,可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光,并且具备

【作者】

：

陈航

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2008年04期

【关键词】

：

ZnO:Cd薄膜 ZnO:Mg薄膜溶胶-凝胶法光电性能禁带宽度

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