作为超大规模集成电路制造中图形转移部分(Pattern Transfer)的关键方法,光刻技术(Photo-lithography)越来越显得举足轻重。特别是由于工艺进入纳米尺度,对于目前的65纳米和45纳米技术节点,因过于接近光刻成像系统的极限而使得实际刻出图形有严重畸变,于是如分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology, RET)和面向可制造性的设计辅助(Design For Manufacturability, DFM)成为不可或缺的一环。光学邻近校正(Optical Proximity Correction, OPC)便是经常使用的分辨率增强技术。一方面,亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution Assist Features, SRAF)作为光学邻近校正的预处理步骤,会在主图形周围加入辅助图形以改善光强对比度以及焦深。而另一个方面,热点检测(Hotspot Detection)则是光学邻近校正后验证的关键步骤,它以快速、可靠定位光刻过程中可能出现的问题区域,从而帮助光学邻近校正配方进行修复和调整。本文研究并提出了一种利用测试图形优化亚分辨率辅助图形配方的方法,该法将一维参数与二维参数分步优化。与传统得到亚分辨率辅助图形配方方法比较,能较好地减少边放置误差,改善工艺窗口,并减小配方的复杂度。通过65纳米工艺节点的实验,表明了该种方法能够减小10%的边放置误差。同时工艺窗口有很好改善,未出现亚分辨率辅助图形刻出的现象。本文还实现了一种利用切分信息和支持向量机的热点检测方法。该方法用光学邻近校正切分时候的信息加以特征提取。在支持向量机中进行训练后,能进行光学邻近校正后版图的热点检测且无需定义热点类型。通过在45纳米工艺节点的实验,最后有80%的热点检测正确率。