低温等离子体放电技术已广泛地应用于半导体芯片刻蚀和薄膜沉积工艺中。工艺腔室中等离子体状态的变化在很大程度上要受到多个外界参数(电源参数、工艺腔室尺寸和工艺气体的参数)的控制,在时间和空间上表现出高度的非线性,这种等离子体的复杂行为给等离子体工艺腔室的物理设计及等离子体状态的实验诊断都带来了极大的挑战和困难。借助等离子体仿真软件进行模拟计算,不仅可以为新一代等离子体工艺腔室的物理设计提供科学依据,缩短研发周期以及降低经济成本,同时对从深层次上理解工艺腔室中等离子体的复杂行为也具有重要的科学价值。为适应我国等离子体工艺发展的需求,我们课题组研制了一套具有自主知识产权的等离子体源多物理场分析仿真软件MAPS。在第一章,简单介绍了等离子体技术在半导体中的工业应用和几种等离子体工艺源(容性耦合等离子体源,感性耦合等离子体源和微波等离子体源等),以及在设计工艺等离子体腔室设计时对等离子体仿真的需求。在第二章,分别对两种面向工艺腔室的低温等离子体商业仿真软件COMSOL和PEGASUS的功能及模块进行了简单介绍,包括其仿真原理和数值方法。在第三章,详细地介绍了MAPS软件的前后端处理平台设计,系统地展示了MAPS软件前后端处理的各个模块功能,页面设计和建模流程,并对其求解器的三种模拟方法(流体力学方法,粒子蒙卡方法和整体模型方法)进行了阐述。在第四章,利用MAPS软件对容性放电和感性放电过程进行仿真,并与商业软件PEGASUS的仿真结果进行比较,以验证MAPS软件仿真结果的可靠性。结果表明,两种软件给出的电子密度、等离子体电势在空间分布和量级上都符合得较好,电子密度随着频率和气压的增加而线性地增加,两种软件随外界参数变化的响应趋势也基本一致。