SrTiO3/GaN薄膜生长初期粒子吸附模型与机理研究

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【摘要】

：

以GaN基为衬底制备SrTiO_3 (STO)铁电材料,在集成移相器、滤波器、谐振器、场效应晶体管等集成器件方面具有十分广阔的应用前景。虽然实验上采用GaN基直接生长了SrTiO_3薄膜,但是难以获得优质的SrTiO_3薄膜,对GaN表面吸附SrTiO_3原胞的机理缺乏有效的实验研究,采用理论计算和计算机模拟是探索SrTiO_3/GaN薄膜初期形成机理的重要方法。真空沉积SrTiO_3薄膜气氛中,

【作者】

：

孙华锋

【机构】

：

四川师范大学

【发表日期】

：

2011年03期

【关键词】

：

SrO TiO2 表面结构吸附 GaN(0001)表面分子动力学

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