在显示行业迅速发展地推动下,量子点发光二极管（Quantum Dot Light-Emitting Diodes,QLED）成为现今全世界研究热点,其具有内在发射可调、色纯度高、稳定性好等特性,是一种新颖的薄膜显示器和固态发光器件。QLED常用的空穴传输层有机材料虽然性能优异,但稳定性差,并且其空穴传输率要低于无机材料,因此需要寻找合适的无机材料来替代有机空穴传输层。常用的无机材料有WO₃、MoO₃、V₂O₅和NiO等,其中作为第三代P型半导体材料的NiO（禁带宽度3.6-4.0eV）,由于特殊的电子结构,具备较好的化学稳定性,优良的光学、电学和磁学性能,近年来常作为空穴传输层广泛地应用于QLED中。为了探究Ni O作为空穴传输层在QLED中的应用,本文进行了以下研究:首先,采用溶液法制备了NiO纳米晶,X-射线衍射（XRD）测试表明所制备的纳米晶为单一晶相的NiO;透射电镜（TEM）测试表明,NiO纳米晶颗粒分散性好,尺寸分布均匀,其平均粒径为3.1±0.1nm;经过UV-Vis和UPS等手段表征得出NiO纳米晶的光学带隙宽度为3.9eV,功函数Φ和价带顶能级位置(E_VBM)分别为3.32eV和5.22eV。然后,通过旋涂法将NiO纳米晶制成薄膜并将其作为空穴传输层材料应用于全无机结构为ITO/NiO/QDs/ZnO/Ag的QLED中,通过分别探究影响器件性能的因素:基片有无清洗、有无紫外臭氧处理NiO薄膜、NiO浓度和旋涂速率的影响和ZnO旋涂速率的选取,来确定制备最佳全无机器件的条件,得到的最佳全无机器件发光强度为598cd/m²,启亮电压为3.3V。最后,为了获得性能更优良的器件,进行了器件结构的优化,即通过将NiO作为空穴传输层材料应用于结构为ITO/NiO/PVK/QDs/ZnO/Ag的QLED中。XPS测试结果表明,紫外臭氧处理可以诱导NiO晶格内部产生Ni³⁺离子,通过创新性地引入多次旋涂和多次紫外臭氧处理结合的工艺路线,获得了Ni³⁺离子含量增多且分布均匀的NiO薄膜,从而有效增强NiO薄膜的传导空穴能力。研究结果显示:随着旋涂Ni O空穴传输层次数的增加,器件的发光亮度、电流效率和外量子效率均呈现出逐渐改善趋势,当旋涂4次时,器件获得最佳效果,其中最佳发光强度从184cd/m²提高到4775cd/m²,最大电流效率为0.54cd/A,最大外量子效率为0.22%,与未改善的单层NiO基QLED相比,均提高超过50倍。