SnO<,2>属四方晶系，具有金红石结构，具有良好的稳定性和对气体的响应特性，被广泛地应用在环境、安全、能源等领域。 本实验采用电沉积热氧化的方法，在氧化铟锡导电膜玻璃(ITO)上从SnCl<,2>和柠檬酸钠混合溶液中沉积出Sn薄膜，然后通过高温氧化获得SnO<,2>薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对制得的SnO<,2>薄膜进行表面形貌和晶体结构的表征。研究了电沉积时间、电压及热氧化时间、温度对SnO<,2>薄膜性质的影响规律。制备的SnO<,2>膜为晶态结构，粒度为纳米级，表面均匀且多孔，适合作为气敏性材料。通过实验优化的制备条件为：电压-0.8V，主盐浓度7g/L，电沉积时间7200s，氧化温度600℃，氧化时间10h。 通过自制的SnO<,2>传感器，分别采用直流电阻和交流阻抗谱方法测定了SnO<,2>薄膜在空气和硫酸溶液中对CO的响应。讨论了CO的吸附机理。结果表明SnO<,2>薄膜对CO表现出良好的响应灵敏度，可用作制备传感器材料。