该研究以体外培养的Wistar大鼠下丘脑神经元为实验对象,首先观察了低氧预处理对下丘脑神经元耐缺氧能力的影响.实验从以下几方面进行检验,主要结果如下:一、低氧预处理对下拓脑神经元乳酸脱氢酶释放率的影响;二、低氧预处理对下丘脑神经元静息电位的影响;三、低氧预处理对下丘脑神经元存活率的影响;四、低氧预处理对下丘脑神经元凋亡的影响.为进一步探讨低氧预处理如何改善下丘脑神经元功能,使之能耐受随后的严重缺氧条件,该研究接着从以下几方面对低氧预处理提高下丘脑神经元缺氧耐受性机制进行了较为系统地分析.一、低氧预处理对细胞膜电特性的稳定作用;二、低氧预处理对钙离子内环境的稳定作用;三、低氧预处理对某些蛋白表达的影响;四、低氧预处理对线粒体膜电位(MMP)的稳定作用;五、低氧预处理对下丘脑神经内分泌激至少TRH释放量的影响.结论:1.缺氧后细胞膜电特性的维持可能是低氧预处理提高下丘脑神经元缺氧耐受性的关键环节;2.低氧预处理后钙离子内环境稳定性增强对于下丘脑神经元耐受缺氧起到了重要作用;3.胞浆内一些蛋白表达的变化促进了细胞的存活或延迟了细胞凋亡;4.线粒体膜电位在低氧预处理后稳定性增强,一方面可以减少凋亡发生,另一方面有助于能量代谢的正常运行;5.下丘脑细胞TRH释放的微量变化对于维持细胞活性有重大影响.