近年来研究显示氧化亚锡（Sn O）晶体具有较高的空穴载流子浓度和空穴迁移率,是具有很大的发展潜力的p型金属氧化物半导体。但是目前制备的Sn O晶体几何尺寸较小,且稳定性较差,使得其未来的研究和应用受到了很大的限制。因此,本论文针对上述问题重点在Sn O晶体制备、晶体稳定性以及电学性质等方面开展研究工作。首先,本论文采用热蒸发法制备Sn O晶体,通过正交试验设计法设计了一组四因素五水平(L₂₅（5⁴）)的实验方案。探究了炉内中心温度、沉积区位置、沉积时间、Ar气气流量等实验因素对晶体生长的影响,实验表明炉内中心温度为主要影响因素。在实验条件为600℃/12 cm/0.5 h/20 sccm时,生成薄层树枝晶。晶体成分为Sn O,晶体沿（201）晶面择优取向,晶体化学活性较强,易被氧化。此外,还有方形和线形晶体生成,晶体成分为锡氧混合相（Sn Ox）。其次,本论文进一步采用水热合成法制备Sn O晶体,通过恒温加热方式,实现了大尺寸、单相Sn O晶体制备。Sn O晶体生长具有明显地择优取向,在水平面上沿（001）晶面择优生长,在垂直面上沿（101）晶面择优生长。通过对Sn O晶体的热稳定性研究发现,在450℃左右时,晶体开始发生氧化反应;当温度升至900℃时,晶体完全氧化为Sn O₂。由于热效应作用,在300℃、600℃和1000℃时,晶体晶格常数沿a、b、c轴方向发生变化。通过对Sn O晶体的电学性质探究发现,Sn O晶体具有p型半导体性质,载流子浓度为1.23×10¹⁵/cm³,霍尔迁移率为4.86 cm²/Vs,电阻率为1.05×10³Ωcm,功函数为5.07 e V。最后,对Sn O晶体进行机械剥离,得到厚度小于30 nm的少层Sn O晶体,并作为有源层应用于场效应晶体管。探索了采用电子束光刻和原位显微镜掩膜制备工艺,采用原位显微镜掩膜工艺制备的器件经过退火处理后,器件具有场效应特性。器件场效应迁移率为1.69×10^-3 cm²/Vs,电流开关比为5.91×10²,亚阈值摆幅为1.39 V/dec。