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本文对于AIC82103主要器件的结构进行了分析，并用PISCES-II软件对某些器件的特性进行了模拟。通过分析器件的版图和纵向图，确定了各个器件的版图层次和纵向结构。在此基础上，分析了各个器件的结构特点。在AIC82103中，尤为突出的是起电平移位作用的LDMOS（横向双扩散）管。该器件采用了多种终端技术，包括内场限环技术，浮置场环和弱化表面电场技术等。
本文所设计的HVIC在工艺上采用ABCD技术，将多种器件如高压LDMOS、NMOS、PMOS、各种击穿电压不等的ZENER管、二极管，电阻，电容等集成在同一芯片上，并保证电路在600V高压下协同工作。为将高低压电路集成在同一芯片上，采用PN结对通隔离技术将连接不同电源电位的衬底隔离开。
此外，本文还应用PISCES-II软件对AIC82103中三个最有特点的器件进行了模拟。通过修改器件的参数，使器件的特性达到电路上的要求。最后，通过分析模拟的结果，确定了部分器件的版图尺寸，并画出了器件的版图。
最终的流片结果表明：该结构不仅能耐700V的高压，而且其I-V特性符合本文的预期设计。