近年来，氧化锌纳米材料获得了人们广泛的关注，并被给予深入的研究。ZnO是一种直接带隙、禁带宽度高达3.37 eV的宽禁带半导体，其激子束缚能约为60 meV，确保其在室温下实现紫外激射，是继GaN材料之后的又一研究热点。众所周知，掺杂可以改变半导体的性质，如在ZnO中共掺Ⅲ族和Ⅴ族元素，可实现ZnO的导电类型实现从n型到p型的转换。因此为了改善ZnO电学和光学性质，研究其中的掺杂是非常必要的。　　本论文利用化学气相沉积方法合成了In、Al共掺杂的 ZnO纳米线和InAlO3(ZnO)m超晶格纳米线，并结合X射线电子衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等仪器对样品的形貌、结构进行了表征，并重点研究了其光致发光性质。通过低倍透射电子显微镜图像，可以清晰地看出所合成的InAlO3(ZnO)m纳米线具有层状周期结构。在光致发光谱测量中，与ZnO的近带边发光峰相比，其近带边发射峰发生明显的红移，表明所合成的InAlO3(ZnO)m超晶格纳米线具有不同的带隙结构。本论文就此提出了一种新的发光机制解释了所观察的现象。